今天pink来给大家分享一些关于电力电子器件电力电子器件在电路中相当于什么方面的知识吧，希望大家会喜欢哦
电力电子器件在电路闭雀中相当功率半导体器件。根据查询相关公开信息，电力电子器件在电路中相当于功率半导体器件是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换与控制的电子器件。电路，是由电源，用电器（负载），中间环节（导线，开关等轿仔元器件）三部分组成。电路导通时叫做通路，断开时叫开闭态汪路。只有通路，电路中才有电流通过。
电力电子器件（PowerElectronicDevice）又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）。
1、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类：半控型器件，例如晶闸管；全控型器件，例如GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），PowerMOSFET（电力场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）；不可控器件，例如电力二极管。
2、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类：电压驱动型器件，例如IGBT、PowerMOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。
3、根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：脉冲触发型，例如晶闸管、GTO；电子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。
4、按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；单极型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管；复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）、IGBT、SITH和IGCT。
特点：
电力二极管：结构和原理简单，工作可靠。
晶闸管：承受电压和电流容量在所有器件中最高。
IGBT：开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小；缺点：开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO。
GTR：耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低；缺点：开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题。
GTO：电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强。
电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低。
电力MOSFET：开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题；缺点：电流容量小，耐压低，一般只适用于则乎功率不超过10kW的电力电子装置。
制约因素：耐压，电流容量，开关的速度。
扩展资料
1、随着电力电子技术应用的不断发展，对电力电子器件性能指标和可靠性的要求也日益苛刻。具体而言，要求电力电子器件具有更大的电流密度、更高的工作温度、更强的散热能力、更高的工作电压、更低的通态压降、更快的开关时间，而对于航天和军事应用，还要求有更强的抗辐射能力和抗振动冲击能力。
特别是航天、航空、舰船、输变电、机车、装甲车辆等使用条件恶劣的应用领域，以上要求更为迫切。
2、未来几年中，尽管以硅为半导体材料的双极功率器件和场控功率器件已趋于成熟，但是各种新结构和新工艺的引入，仍可使其性能得到进一步提高和改善，Coolmos、各种改进型IGBT和IGCT均有相当的生命力和竞争力。
3、电力电子器件的智能化应用也在不断研究中取得了实质成果。一些国外制造企业已经开发出了相应的IPM智能化功率模块，结构简单、功能齐全、孙御悉运行可靠性高，并具有自诊断和保护的功能。
4、新型高频器件碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)器件正在迅速发展，一些器件有望在不远的将来实现商品化，总部位于美国北卡罗来纳的CREE公司已经实现商用的SiC二极管和MOSFET。
但由于材料和制造工艺方面的问题，还需要大量的研究投入和时间才能逐步解决，拆世北卡州立大学的FREEDM中心正在对此技术进行研究。
参考资料来源：百度百科-电力电子
参考资料来源：百度百科-电力电子器件
常用全控型电力电子器件：门极可关断晶闸管。
电压控制型器件：电力晶体管悔早、绝缘栅双极晶体管。
电流控制型器件：电力场效应晶体管。
单相桥式整流电路中，晶闸管承受的最大正向电压和反向电压分别为sqrt(2)U/2和sqrt(2)U。按照2倍安全裕量选取,晶闸管的额定电压应不小于：
sqrt(2)*220*2=1.414*220*2=622.16V
扩展资料：
电力电子器件的其他分类：
根据驱动电路加在电力碧裂雀电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：
1、脉冲触发型，例如晶闸管、GTO。
2、电子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。
按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：
1、双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR。
2、单极型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒源汪二极管。
3、复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）、IGBT、SITH和IGCT。
参考资料来源：
百度百科—电力电子器件
百度百科—晶闸管
1、发动机系统中电力电子技术的应用。目前的汽车中使用比较普遍的用电源除了原有的28V和14V的意外，还新增了败困或42V系列的用电源，尤其是在混合动力汽车当中，所使用的驱动电压值已经达到了288V。
2、燃油喷射装置中电力电子系统的应用。由电力电子进行控制的燃油喷射装置，其优越的工作性能使之在当前汽车行业中得到了广泛使用。由电力电子进行控制的燃油喷射装置能够最大限度的提高发动机的工作性能，保证发动机在进行功率输出时能够有效的净化空气和节约燃油。
3、电子稳定控制系统。电子稳定控制系统具有功能全面的特点，同时对各种功能进行了改进。电子稳定控制系统不同于普通控制系统，它在对汽车驱动轮进行控制的同时，也能够对从动轮进行有效的控制。
常用电力电子器件的优缺点如下所述。
GTR优点：耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强．饱和压降低；缺点：开关速度低，是电流驱动型，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题。
GTO优点：电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强；缺点：开关频率低，关断时门极负脉冲电流大，驱动电路复杂，所需驱动功率大。
电力MOSFET优点：开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频察伍率高，不存在二次击穿问题；缺点尺瞎：电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过lOkW的电力电子装置。
IGBT优点：开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，输入阻抗高，通态压降较低，驱动功率小；缺点：开关速度低于电力MOSFET，电压、电流、容量不及CTO。
（1）常用的电力电子喊胡器件有：SCR（普通晶闸管），双向SCR（双向晶闸管），GTR（高功率晶体管），MOSFET（功率场效应管），IGBT（绝缘栅门控双极型晶体管），GTO（可关断晶闸管）,IGCT(换流关断晶闸管）等（第一章电力埋闷电子器件一般考试都会考到，属于重点内容,特别是英文字母要记住个器件英文对应的中文意思）
（2）MOSFET的特点：是性能理想的中小容量的高速压控型器件，广泛应用于各种中小型的电子装置中。MOSFET的控制要求简单，其工郑液拦作频率可以达到100Khz至数兆赫兹。
（3）IGBT的特点：IGBT是性能理想的中大容量的中高速压控型器件，广泛应用于各种中大型电力电子装置中。其开关频率通常可达到20Khz左右，在电流耐力方面，IGBT的额定工作电流在数十安至千安级。
不可控器件，即电力二极管，与半控、全控型电力电子器件的主要区别如下：
一、原理不同
1、电力二极管：为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
2、全控型器件：通过控制信号过可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。
3、半控型器件：通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件。
二、特点不同
1、电力二极管：单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
2、全控型器件：输入阻抗高，驱动电路简单，需要的驱动功率小；开关速度快，工作频率高；热稳定性优于GTR。
3、半控型器件：其伏安特性类似二极管的反向特性；晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反向漏电流通过。
三、分类不同
1、电力二极管：有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
2、全控型器件：门极可关断晶闸管（Gate-Turn-OffThyristor—GTO），电力场效应晶体管（PowerMOSFET），绝缘栅双极晶体管。
3、半控型器件：主要是晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件。
参考资料来源：
百度百科-全控型器件
百度百科-半控型器件
百度百科-电力二极管
本文到这结束，希望上面文章对大家有所帮助